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| Datasheet File OCR Text: |
| GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 4860 Chip position 2.54 mm spacing o0.45 14.5 12.5 o4.8 o4.6 Cathode 4.05 3.45 GMO06983 Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil q Kathode galvanisch mit dem Gehauseboden verbunden q Sehr hoher Wirkungsgrad q Hohe Zuverlassigkeit q Kurze Schaltzeiten Anwendungen q Lichtschranken fur Gleich- und Wechsellichtbetrieb bis 5 MHz q Hermetisch dichtes Gehause Features q Radiation without IR in the visible red range q Cathode is electrically connected to the case q Very high efficiency q High reliability q Short switching time Applications q Photointerrupters q Hermetically sealed package Typ Type SFH 4860 Bestellnummer Ordering Code Q62702-P5053 Gehause Package 18 A3 DIN 41876 (TO-18), Bodenplatte, Plankappe, Anschlusse im 2.54-mm-Raster (1/10''), Anodenkennzeichnung: Nase am Gehauseboden 18 A3 DIN 870 (TO -18), flat glass cap, lead spacing 2.54 mm (1/10''), anode marking: projection at package bottom Semiconductor Group 1 1998-08-25 fmo06983 Flat glass cap o2.54 1 0.9 .1 1.1 .9 0 5.5 5.2 (2.7) SFH 4860 Grenzwerte (TA = 25 C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlastrom Forward current Stostrom, tp = 10 s, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Warmewiderstand Thermal resistance Symbol Symbol Wert Value - 55 ... + 125 125 3 50 1 140 450 160 Einheit Unit C C V mA A mW K/W K/W Top; Tstg Tj VR IF IFSM Ptot RthJA RthJC Semiconductor Group 2 1998-08-25 SFH 4860 Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlange der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 50 mA Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 50 m A Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipflache Active chip area Abmessungen der aktiven Chipflache Dimension of the active chip area Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 50 mA, RL = 50 Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to10 %, IF = 50 mA, RL = 50 Kapazitat, VR = 0 V, f = 1 MHz Capacitance Durchlaspannung, IF = 50 mA, tp = 20 ms Forward voltage Sperrstrom, VR = 3 V Reverse current Symbol Symbol peak Wert Value 660 Einheit Unit nm 25 nm 50 0.106 0.325 x 0.325 100 Grad deg. mm2 mm ns A LxB LxW tr, tf Co VF IR 30 2 ( 2.8) 0.01 ( 10) 3 - 0.4 pF V A mW %/K Gesamtstrahlungsflu, IF = 50 mA, tp = 20 ms e Total radiant flux Temperaturkoeffizient von Ie bzw. e, TCI IF = 50 mA Temperature coefficient of Ie or e, IF = 50 mA Temperaturkoeffizient von VF, IF = 50 mA Temperature coefficient of VF, IF = 50 mA Temperaturkoeffizient von , IF = 50 mA Temperature coefficient of , IF = 50 mA TCV TC -3 + 0.16 mV/K nm/K Semiconductor Group 3 1998-08-25 SFH 4860 Strahlstarke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel = 0.01 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of = 0.01 sr Bezeichnung Description Strahlstarke Radiant intensity IF = 50 mA, tp = 20 ms Strahlstarke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 s Symbol Werte Values 0.63 1.3 15 Einheit Unit mW/sr mW/sr mW/sr Ie min Ie typ Ie typ Semiconductor Group 4 1998-08-25 SFH 4860 Relative spectral emission Irel = f () 100 OHR01869 Radiant intensity Ie = f (IF) Ie 50 mA OHR01870 Single pulse, tp = 20 s 10 2 e e 50 mA 10 1 Max. permissible forward current IF = f (TC), RthJC = 160 K/W 120 OHR00390 rel % 80 F mA 100 80 60 10 0 60 40 40 10 -1 20 20 10 -2 0 600 650 700 nm 750 10 0 10 1 10 2 mA F 10 3 0 0 20 40 60 80 100 C 130 TA Forward current IF = f (VF), single pulse, tp = 20 s 10 3 mA OHR01871 Permissible pulse handling capability IF = f (), TA = 25 C, duty cycle D = parameter F 10 4 mA OHR01872 Max. permissible forward current IF = f (TA), RthJA = 450 K/W 120 OHR00391 F tP D= tP T D= 0.005 0.01 0.02 0.05 F T F mA 100 10 2 10 3 0.1 0.2 80 60 10 1 10 2 0.5 DC 40 20 10 0 0 2 4 6 8 V 10 10 1 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 s 10 1 0 0 20 40 60 80 VF tP 10 100 C 130 TA Radiation characteristics Irel = f () 40 30 20 0 1.0 OHR00389 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 90 0.2 0 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 Semiconductor Group 5 1998-08-25 |
Price & Availability of Q62702-P5053
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